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浙江容大川檢測技術服務有限公司無錫分公司

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[供應]高純半導體GDMS測試
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  • 更新日期:2014-09-29 09:11:19
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高純半導體GDMS測試 詳細信息

??     GDMS高純物全元素分析
聯(lián)系電話 18121032750  021-58338090
聯(lián)系人   馮先生
QQ      2649942050
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GDMS輝光放電質(zhì)譜儀
   利用陰極濺射。輝光放電形成的正離子轟擊樣品,能量從幾百到幾千電子伏的正的氬離子被加速到樣品表面。導致樣品上層被腐蝕或霧化。在質(zhì)譜儀經(jīng)過質(zhì)量分離后測量從濺射區(qū)域產(chǎn)生的分析離子,經(jīng)RSF轉(zhuǎn)化成濃度。
GDMS優(yōu)點
   能夠探測到每種雜質(zhì)的化學態(tài)的全部濃度,不需要通過化學方法??梢砸淮涡詼y出全部的73種元素的含量,可以精度到小數(shù)點8位。檢測成本低
GDMS缺點
     H、C、O、N元素的探測極限較差
GDMS適用范圍
       石墨  碳  硅  碳化硅 氧化物  陶瓷 等
SIMS基本原理
       樣品由氧或者銫源的聚焦一次離子束濺射,形成的二次離子被加速使其脫離樣品表面,由靜電分析器進行能量分離和由電磁質(zhì)量分析器基于質(zhì)荷比進行質(zhì)量分離。
SIMS優(yōu)點
      能夠探測到每種雜質(zhì)的化學態(tài)和電子態(tài)的全部濃度,不需要通過化學方法。涵蓋周期表所有元素。包括H、C、O、N
SIMS缺點
     特定元素分析,只能分析一到三個元素,多元素分析成本高
SIMS適用范圍
      涵蓋周期表所有元素。包括H、C、O、N等大氣元素

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