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[供應]C4532X7R1E226M貼片電容 1812 226M 25V 日本
- 產(chǎn)品產(chǎn)地：日本
- 產(chǎn)品品牌：TDK
- 包裝規(guī)格：C4532X7R1E226M
- 產(chǎn)品數(shù)量：5600000
- 計量單位：pcs
- 產(chǎn)品單價：0.66
- 更新日期：2019-07-29 14:14:50
- 有效期至：2020-01-25
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C4532X7R1E226M貼片電容 1812 226M 25V 日本
詳細信息
TDK貼片電容的優(yōu)點
1.利用貼片陶瓷電容器介質(zhì)層的薄層化和多層疊層技術，使電容值大為擴大
2.單片結(jié)構保證有極佳的機械性強度及可靠性
3.極高的精確度，在進行自動裝配時有高度的準確性
4.因僅有陶瓷和金屬構成，故即便在高溫，低溫環(huán)境下亦無漸衰的現(xiàn)象出現(xiàn)，具有較強可靠性與穩(wěn)定性
5.低集散電容的特性可完成接近理論值的電路設計
6.殘留誘導系數(shù)小，確保上佳的頻率特性
7.因電解電容器領域也獲得了電容，故使用壽命延長，更造于具有高可靠性的電源
8.由于ESR低，頻率特性良好，故最適合于高頻，高密度類型的電源
TDK貼片電容的基本參數(shù)
工作溫度范圍:-55～125℃
額定電壓: 6.3VDC～3000VDC
溫度特性:NPO:≤±30ppm/℃，-55～125℃（EIAClassI）
X7R:≤±15%，-55～125℃（EIAClassII）
容量范圍:NPO:10pFto100nF
X7R:150pFto 47uF
X5R:10UFto100uf
TDK積層陶瓷貼片電容器的小型化、大容量化，TDK通過先進的材料技術追求粒子大小的超微細化。確立了電介質(zhì)層和電極層無錯位的高度積層技術和多達1000層的多層化技術。1層的層間厚度達到亞微米水平。通過追求薄層化與多層化，即使是極小的貼片尺寸也能同時實現(xiàn)接近鉭電容器的大容量化和極高的可靠性。
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